5G推动下,砷化镓、磷化铟需求动能蓄势待发

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        半导体磊芯片厂英特磊今(28)日召开股东会,总经理高永中提到,各国皆积极布建 5G 基础建设,包括台湾也加速释照时程,希望今年年底完成竞标、明年 1 月发照。因此,就市场需求来看,砷化镓与磷化铟的营运动能正蓄势待发。

         高永中在会中表示,英特磊产品具有近程、中程及远程战略位置,未来 10 年全球电子产品应用重心将是 5G 及光电产品。

         5G 方面,英特磊砷化镓产品主要用于高频通信应用的 pHEMT 芯片上,随 5G 时代来临、物联网相关的产业供应链也持续扩大,高永中乐观高频、高速、pHEMT 产品需求回温,他并指出,pHEMT 产品均已通过欧美大厂认证,营运动能看佳。

         占第 1 季整体营收 44.3%的磷化铟主要应用在 5G 高频段手机功率放大器材料上,英特磊目前与大厂合作开发的毫米波功率放大器(PA)预计年底开始出货,用于 5G 手机中。同时,光通信元件市场如 25G APD 及 PIN 也因 5G 基础建设驱动而加快成长。

        他强调,磷化铟 HBT、氮化镓 HEMT、面射型雷射与其他特殊雷射,在高速无线传输、手持装置、资料中心、云端运算、穿戴式传感器、Lidar 及泛用型感测等应用均扮演关键角色。此外,高永中也看好高均匀度磊晶 MBE 技术需求日益提升。

         另外,高永中补充,随汽车防撞雷达、高频量测设备、10-25G APD、50GHz PIN 及 VCSEL 芯片等订单陆续升温,预估毛利率将受惠,获利也将成长。