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百乐宫全球真人光电致力于磷化铟单晶的生长研发和磷化铟单晶圆基片加工。磷化铟(InP)是Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料;有两个独特的物理性能:波长稳定和高迁移率。因此磷化铟成为唯一能应用于微波、毫米波器件领域中的高端材料。磷化铟单晶VGF法生长合格值是EPD≦3000cm2,我司成功生长的磷化铟单晶EPD≦1400cm2

4寸磷化铟单晶晶锭出炉前

InP单晶片品质参数(VGF法生

3、4寸磷化铟单晶晶锭(S

3、4寸磷化铟单晶晶锭(S

3寸开盒即用型磷化铟单晶

InP单晶片品质参数(VGF法生

4寸开盒即用型磷化铟单晶

InP单晶片品质参数(VGF法生

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